El Centro de Sistemas Electrónicos Integrados Innovadores de la Universidad de Tohoku, Japón, ha realizado un avance significativo en el ámbito de los dispositivos de almacenamiento de memoria. Al lograr la potencia de escritura más baja del mundo para un dispositivo específico, han sentado las bases para una electrónica más eficiente y respetuosa con el medio ambiente. Este desarrollo se centra en la memoria magnetorresistiva de acceso aleatorio de espín-órbita-par SOT-MRAM, que promete reemplazar tecnologías actuales con soluciones de menor consumo energético y mayor rendimiento.
Actualmente, la memoria estática y dinámica de acceso aleatorio SRAM y DRAM consumen energía aun sin actividad, lo que impone la necesidad de innovaciones. La SOT-MRAM representa una opción viable debido a su capacidad de mantener su eficiencia sin grandes demandas de energía. Sin embargo, hasta ahora, su aplicación había enfrentado desafíos, como mejorar su eficiencia energética a altas velocidades de escritura y eliminar efectos de campos magnéticos externos.
En 2019, los investigadores introdujeron la SOT-MRAM inclinada, alcanzando una escritura de alta velocidad de hasta 0,35 nanosegundos sin requerir un campo magnético externo. Desde entonces, el equipo ha continuado su investigación en el diseño y las propiedades magnéticas de estos dispositivos, logrando con éxito la reducción significativa de la potencia de escritura a 156 femtojoules en dispositivos fabricados con procesos de oblea de 300 mm y una inclinación de 75 grados.
Este progreso no solo disminuye la potencia de escritura en un 35% en comparación con las tecnologías SOT actuales, sino que también mantiene la estabilidad térmica y una alta relación de magnetorresistencia túnel. Este avance podría marcar el comienzo de un notable cambio en la industria, incentivando el desarrollo de aplicaciones comerciales que integren la tecnología SOT-MRAM con enfoque en la eficiencia energética y el rendimiento superior. Estos resultados abren la posibilidad de un futuro donde los dispositivos electrónicos puedan operar de manera más eficiente y sostenible.